ИНДИЯ ФОСФИД InP, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,586875 нм, z = 4, пространств. группа F43m); т. пл. 1070°С; плотн. 4,787 г/см³; С°_p 46,2 Дж/(моль.К); DH⁰_пл 54,6 кДж/моль, DH⁰_обр — 90,3 кДж/моль; S°₂₉₈ 62,7 Дж/(моль.К); температурный коэф. линейного расширения 4,75.10^-6 К^-1; теплопроводность 67,2 Вт/(м.К). Полупроводник: e 12,1; ширина запрещенной зоны 1,42 эВ (0 К), 1,28 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости т_е = 0,07m₀, дырок m_р = 0,4m₀ (m₀ - масса своб. электрона); подвижность электронов 5000 см²/(В.с) при 300 К и 23500 см²/(В.с) при 78 К, подвижность дырок 150 см²/(В.с) при 300 К. Устойчив на воздухе до т-ры ~ 300°С. Взаимод. со смесями к-т - HNO₃ и HF, HNO₃ и соляной. Для травления пов-сти кристаллов И. ф. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений используют р-ры Вr₂ в метаноле, а также смеси H₂SO₄ с Н₂О₂ и Н₂О. Получают И. ф. в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах взаимод. нагретого до ~850°С расплава In с парами Р, давление к-рых составляет ~ 500 кПа. Образующийся расплав InP подвергают горизонтальной направленной кристаллизации. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В₂О₃ в атмосфере инертного газа (Ar, He, N₂) при давлении ~ 5000 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: кристаллизацией из р-ра InP в расплаве In при 700-750 °С; осаждением из газовой фазы (пары РСl₃ пропускают над расплавом In при ~ 800 °С, образовавшиеся при этом пары хлоридов In переносятся в зону осаждения и взаимод. с парами РСl₃ или РН₃ при 650-700 °С, давая InP, кристаллизующийся на монокристаллич. подложке); методом молекулярно-лучевой эпитаксии (взаимод. мол. пучков In и Р на нагретой до 500-600 °С монокристаллич. подложкe в высоковакуумной камере при давлении ~ 10^-9 Па). Для получения полупроводниковых монокристаллов и пленок n-типа в качестве легирующих примесей используют Те, Se, S, Sn, а p-типа - Zn Cd. Для придания монокристаллам полуизолирующих св-в их легируют Fe. И. ф. - полупроводниковый материал для инжекц. лазеров, светодиодов, СВЧ генераторов, транзисторов, фотоприемников. Лит.: Марина Л. И., Нашельскяй А. Я., Колесник Л. И., Полупроводниковые фосфиды A^IIIB^V и твердые растворы на их основе, М., 1974, Мильвидский М. Г., Полупроводниковые материалы в современной электронике. М., 1986. Cм. также лит. при ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский.