ИНДИЯ АНТИМОНИД InSb, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,647877 нм, z = 4, пространств. группа F43m): т. пл. 525,2 °С; плотн. 5,775 г/см³, жидкого - 6,430 г/см³ (550 °С); С⁰_p 49,56 Дж/(моль.К); DH⁰_пл 65,35 кДж/моль, DH⁰_обр - 30,66 кДж/моль; S⁰₂₉₈ 87,44 Дж/(моль.К); температурный коэф. линейного расширения 4,7.10^-6 К^-1; теплопроводность 30-40 Вт/(м.К) при 200 К. Полупроводник: e 17,7 (- 196°C); ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К); эффективная масса электронов проводимости т_е = 0,013m₀, дырок т_р = 0,42m₀ (m₀ - масса своб. электрона); при 77 К подвижность электронов 1,1.10⁶ см²/(В.с), дырок 9,1.10³ см²/(В.с). И. а. устойчив на воздухе и в парах воды при т-рах до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. HNO₃ и смесями HNO₃ и фтористоводородной к-ты, HNO₃ и соляной к-ты, HNO₃, винной и молочной к-т, Н₂О₂ и винной к-ты, Н₂О₂ и фтористоводородной к-ты. Для травления пов-сти кристаллов с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений наиб. часто используют смесь состава 5HNO₃ : 3СН₃СООН : 3HF. Получают И. а. сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н₂. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N₂) или Н₂ либо в вакууме (~ 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра InSb в расплаве In при 350-450 °С; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и Sb в вакууме 10^-9 Па с послед. осаждением на нагретую до 400-500°С подложку); методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме ~ 10^-4 Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb). И. а. - полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. мощности. Лит.: Полупроводниковые соединения A^IIIB^V, под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга, пер. с англ., М., 1967, с. 327-42, 476-83; Горелик С. С., Дашевский М. Я., Материаловедение полупроводников и металловедение, М., 1973; Нашельский А. Я., Технология полупроводниковых материалов, М., 1987 М. Г. Мильвидский.