ПОЛИТИПИЗМ (политипия) (от греч. polys - многочисленный и typos - отпечаток, форма, образец), частный случай полиморфизма, наблюдается в нек-рых кристаллах со слоистой структурой. Политипные модификации-политипы построены из одинаковых слоев или слоистых "пакетов" атомов и различаются способом и периодичностью наложения таких пакетов или слоев. Так, для SiC найдено более 40 политипов. Два параметра элементарной ячейки кристалла SiC одинаковы, третий (с) является переменным, кратен наим. значению этого параметра (0,2518 нм) и изменяется от ~0,5 нм (двуслойный политип) до 150 нм (594-слойный политип). П. найден у мн. др. неорг. соединений со слоистой и плотноупакованной структурой (ZnS, CdI₂, PbI₂, MoS₂, глинистые минералы и др.).

Структуры политипов близки, первые координац. сферы у атомов в кристаллах одинаковы. Так, для SiC во всех политипах сохраняется тетраэдрич. окружение атомов, изменения наблюдаются в третьей и выше координац. сферах. Все политипы имеют одинаковую плотность, они не переходят друг в друга. Образование политипов объясняют наличием примесей, винтовых дислокаций, колебаниями структуры (порядок-беспорядок).

П. открыл в 1912 Г. А. Баумгауэр на примере SiC.

Лит.: Верма А., Кришна П., Полиморфизм и политипизм в кристаллах, пер. с англ., М., 1969. В. И. Пахомов.