ГАЛЛИЯ ОКСИДЫ . Сесквиоксид Ga₂O₃-белые кристаллы. Наиб. устойчива р-модификация с моноклинной решеткой типаА1₂О₃ (a = 1,223нм, b = 0,304 нм, с = = 0,508 нм, 103,7°, z = 4, пространств. группа С2/m); т. пл. 1725°С; плотн. 5,88 г/см³; С° 92,18 Дж/(моль*К);- 1090 кДж/моль, 519 кДж/моль, 574 кДж/моль; S°₂₉₈ 85,1 Дж/(моль*К); 10,2; выше 1200°С частично диссоциирует на Ga₂O и О₂; ур-ние температурной зависимости давления пара: 1§р(гПа) = 13,66 —

26010/Т (1530-1840 К). Полупроводник n-типа; ширина запрещенной зоны 4,6-4,7 эВ (27 °С). Не раств. в воде и орг. р-рителях. С минер. к-тами образует соли Ga, с р-рами щелочей - галлаты. После прокаливания выше 600 °С взаимод. только с расплавленными щелочами и гидросульфатами щелочных металлов. При спекании с оксидами или карбонатами др. металлов образует галлаты. Получают Ga₂O₃ прокаливанием Ga(NO₃)₃ или Ga(OH)₃ при 200-250 °С, затем в течение 12 ч при 600 °С. Применяют его для получения галлиево-гадолиниевого граната и др. соединений Ga. Теми оксид Ga₂О-темно-коричневое, серое или черное в-во; т. пл. ок. 650°С, т. кип. ок. 725 °С; плотн. 4,77 г/см³ (20°С); твердого в-ва -356 кДж/моль; для газа С^o_p 48,2 Дж/(моль*К), - 85,9 кДж/моль; S^o₂₉₈ 284 Дж/(моль*К). Устойчив в сухом воздухе при 20 С, в отсутствие О₂ и паров Н₂О - до 600 °С. В интервале 700-1000 °С легко диспропорционирует на Ga и Ga₂O₃, в парах выше 1000°С не днспропорционирует. Ур-ние температурной зависимости давления пара над смесью Ga₂O₃ с Ga: 1gр(гПа) = 11,90- 13490/Т (1000-1100 К). Ga₂O- сильный восстановитель, легко окисляется при нагр.; медленно взаимод. с разб. к-тами, энергично - с концентрированными. М. б. получен нагреванием Ga в атмосфере СО₂ или паров Н₂О (в присут. Н₂), а также восстановлением Ga₂O₃ галлием с послед. сублимацией в вакууме. Gа₂О - промежут. соед. при получении эпитаксиальных пленок GaAs и GaP с помощью хим. транспортных р-ций.

В парах при высоких т-рах наблюдался оксид GaO.

Лит. см. при ст. Галлий. П. И. Федоров.