ГАЛЛИЯ ГАЛОГЕНИДЫ . Физ. свойства нек-рых Гг. приведены в таблице. Трихлорид GаС1₃-бесцв. кристаллы с триклинной решеткой [а — 0,694 нм, b = 0,684 нм, с = 0,682нм, 119,5°, р 90,8°, 118,8°, z=l (Ga₂Cl₆), пространств. группа PI]. Молекулы димерны. Хорошо раств. в воде; из солянокислых р-ров экстрагируется в виде HGaCl₄ эфиром, бутилацетатом, трибутилфосфатом и др. орг. р-рителями; образует моногидрат (т. пл. 44,4°С); гигроскопичен. Является сильной к-той Льюиса. Получают GaCl₃ хлорированием Ga при 80-200°С с послед. перегонкой, ректификацией, а также зонной плавкой. Применяют его для получения Ga высокой чистоты и синтеза др. соединений Ga, а также как катализатор полимеризации; наполнитель нейтринных ловушек.

СВОЙСТВА ГАЛОГЕНИДОВ ГАЛЛИЯ

* Т-ра и возгонки. ** Плотность жидкого 2,0536 г/см³.

Трифторид GаР₃-бесцв. кристаллы; не раств. в воде; образует тригидрат (р-римость в Н₂О 4,1% по массе при 25 °С). Не взаимод. с разб. минеральными к-тами, разлагается р-рами щелочей. На воздухе выше 200 °С образует GaOF, затем Ga₂O₃. Получают фторированием Ga, Ga₂O₃ или др. соединений Ga.

Трибромид GaBr₃ - белые кристаллы, трииодид GaI₃-желтые; по св-вам подобны GaCl₃. Получают действием паров соответствующего галогена на нагретый Ga.

Моногалогениды GaHal образуются при взаимод. паров GaHal₃ с Ga; при конденсации GaF и GaCl диспропорционируют на Ga и соотв. GaF₃ и GaCl₃. Для GaBr т. пл. 158°С (с разл.), для Gal 270 °С (с разл.)

Дигалогениды [тетрагалогеногаллаты(III) галлия(1)] Ga₂Hal₄, или Ga^I[Ga^III Hal₄], образуются при взаимод. Ga с GaHal₃ (Hal = Cl, Br, I). Дихлорид Ga₂Cl₄-белые кристаллы; т. пл. 175 °С, т. кип. 595 °С; плотн. 2,4173 г/см³; р 2,22Ом*см (20 °С); диамагнитен. Для дибромида Ga₂Br₄ т. пл. 166°С, т. кип. 462°С. Для дииодида Ga₂I₄ т. пл. 211 °C, т. кип. 469 °С

Известны также Ga₃Br₇ (т. разл. 81 °С) и Ga₃Cl₇ (т. пл. 87 °С), имеющие строение Ga^I[Ga₂^IIIHaI₇], и Ga₄Hal₆, или Ga₂^I[Ga₂^IIIHal₆] (Hal = Cl, Br).

Лит. см. при ст. Галлий. П. И. Федоров.