ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД (стибнид галлия) GaSb, светлосерые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,609593 нм); т. пл. 712°С; плота. 5,6137 г/см³ (20°С); С° 48,6 Дж/(моль*К); 65,19 кДж/моль, -44,2 кДж/моль; S^o₂₉₈ 76,17 ДжДмоль • К); при высокомдавлении существует тетрагон, модификация; тройная точка: т-ра 385 °С, давл. 5,58 ГПа; температурный коэф. линейного расширения 6,7*10^-6 К^-1; теплопроводность 35Вт/(м*К) (27 °С);= 15,69. Полупроводник; при 27 °С ширина запрещенной зоны 0,79 эВ, подвижность электронов 4000 см² /(В*с), дырок 800 см² /(В-с); эффективная масса электронов проводимости m_e = 0,45m₀ (m₀-масса свободного электрона). Г. а. устойчив на воздухе и в воде, медленно взаимод. с минеральными к-тами и конц. р-рами щелочей.

Получают GaSb сплавлением Ga с 5%-ным избытком Sb в атмосфере Н, в кварцевых или графитовых контейнерах, после чего GaSb гомогенизируют зонной плавкой. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере Н₂. Г. а.-полупроводниковый материал для СВЧ-диодов, транзисторов, микроволновых детекторов и др. П. И. Федоров.